iH1000愛德華半導(dǎo)體干泵維修

iH1000 干式泵 460V，60 Hz，3 相

A59030908

技術(shù)數(shù)據(jù)

峰值速度                1000 m3h-1

                                589 cfm

                                16670 l min-1

極限真空                1 x 10-3 mbar

                                7.5 x 10-4 Torr

                                0.1 Pa

典型軸封氮流量                4 slm

進(jìn)氣口連接                ISO100

出口連接                NW40

15 psi 壓降下典型冷卻水流量240 l h-1

                                4 l min-1

重量                        430 kg

極限功率輸入                3.8 kW

電機(jī)額定功率                6.1 kW

油容量                        1.48 l

所有數(shù)字均為無氣鎮(zhèn)時(shí)的典型值。

iH1000 干式泵 200/208V，50/60 Hz，3 相

A59030945

技術(shù)數(shù)據(jù)

                                50 Hz        60 Hz

峰值速度                950 m3h-11000 m3h-1

                                560 cfm        589 cfm

                                15837 l min-116670 l min-1

極限真空                2 x 10-3 mbar1 x 10-3 mbar

                                1.5 x 10-3 Torr7.5 x 10-4 Torr

                                0.2 Pa        0.1 Pa

典型軸封氮流量                4 slm        4 slm

進(jìn)氣口連接                ISO100        ISO100

出口連接                NW40        NW40

15 psi 壓降下典型冷卻水流量240 l h-1240 l h-1

                                4 l min-14 l min-1

重量                        430 kg        430 kg

極限功率輸入                3.5 kW        3.8 kW

電機(jī)額定功率                5.1 kW        6.1 kW

油容量                        1.48 l        1.48 l

功能和優(yōu)勢

優(yōu)化了設(shè)施消耗。

無需預(yù)防性維護(hù)。

懸臂軸和特殊的異型轉(zhuǎn)子便于顆粒的處理。

在節(jié)省電機(jī)功率的同時(shí)大程度提高了工作繁重的 CVD 應(yīng)用條件下的穩(wěn)定性。

耐腐蝕的制造材料允許泵送腐蝕性氣體。

較高的工作溫度為避免氣體冷凝提供了充分的安全保證。

整體式軸桿無需使用電機(jī)聯(lián)結(jié)器，而第五級(jí)泵消除了使用消音器的需要并消除了顆粒堆積，從而降低了總體占地面積

概述

Edwards 高級(jí)半導(dǎo)體真空泵已經(jīng)過現(xiàn)場應(yīng)用證明，可以按照最高工作標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行。通過延長使用壽命、提高運(yùn)行時(shí)間并提高生產(chǎn)率，同時(shí)大程度地減小占地面積、降低運(yùn)行成本，實(shí)現(xiàn)了高的可靠性和性能。

iH 系列為難以執(zhí)行的制程（如存在微粒、易冷凝和腐蝕性副產(chǎn)品的 PECVD 和 LPCVD 制程）提供了高可靠性。

應(yīng)用

負(fù)載鎖

輸送

計(jì)量

平版印刷

PVD 制程

PVD 預(yù)清潔

RTA

剝離/灰化

刻蝕

植入源

HDP CVD

RTP

SACVD

MCVD

PECVD

LPCVD

ALD

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